带电轻子味破坏 B 介子衰变的 SMEFT 分析

在标准模型有效场论 (SMEFT) 框架下，分析了带电轻子味破坏 (cLFV) 过程，这些过程对各种超越标准模型的物理场景可能具有重要意义。我们考虑了与轻子和半轻子 LFV B 衰变 (LFVBD) 过程 $B_s\to \mu^+e^- , B^+\to K^+\mu^+e^-, B^0\to K^{*0}\mu^+ e^-, {\rm and}~ B_s\to \phi\mu^-e^+$ 最相关的 2 夸克-2 轻子 $(2q2\ell)$ 算符。我们分析了负责这些 LFVBD 的威尔逊系数与其他 cLFV 过程（如 $\rm CR (\mu\to e)$、$\ell_i \to \ell_j \gamma$、$\ell_i \to\ell_j\ell_k\ell_m$ 和 $Z \to \ell_i \ell_j$）之间的相互作用，以寻找 B 介子衰变中可能的最大 LFV 效应。在考虑当前限制和未来预期的情况下，我们探究了与两类 LFV 衰变所施加约束相关的新物理能标。鉴于 LHCb-II 和 Belle II 上计划进行的带电 LFV 过程研究，我们还提供了对此类 LFVBD 间接约束的上限。对于 B 介子衰变到 $\mu^{\pm}$ 和 $e^{\mp}$ 的过程，我们表明，新物理可以通过将 $B^+\to K^+\mu^+e^-, B^0\to K^{*0}\mu^+ e^- {\rm and}~ B_s\to\phi\mu^{\pm}e^{\mp}$ 分支比的当前灵敏度提高 2-4 个数量级来加以约束。