HoTe3中横向磁阻的慢振荡

S. V. Zaitsev-Zotov; P. D. Grigoriev; D. Voropaev; A. A. Morocho; I. A. Cohn; E. Pachoud; A. Hadj-Azzem; P. Monceau

doi:10.1134/S0021364024605128

HoTe3中横向磁阻的慢振荡

强关联电子 2025-03-25 v2 介观与纳米尺度物理

作者: S. V. Zaitsev-Zotov , P. D. Grigoriev , D. Voropaev , A. A. Morocho , I. A. Cohn , E. Pachoud , A. Hadj-Azzem , P. Monceau

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摘要

在HoTe3中观察到了磁阻的慢振荡，该振荡随倒数磁场呈周期性，频率为3.4 T。即使在低温下，振荡振幅的温度依赖性也接近指数形式。这可能归因于系统中软模的存在，并允许估算电子在这些模式上的散射率。在磁场超过1 T的区域，该振荡可被描述为与HoTe3双层结构导致的能带结构劈裂相关的干涉振荡。所获数据使我们能够计算出每个双层结构内各层之间的跳跃积分（ $t_b$ ）与相邻双层结构之间的跳跃积分（ $t_z$ ）之比 $t_b/t_z \sim 7.7$ ，并估算这些积分分别为 $t_b \sim 2$ meV 和 $t_z \sim 0.26$ meV。

关键词

磁阻慢振荡 HoTe3 软模跳跃积分双层结构

引用

@article{arxiv.2503.13302,
  title  = {Slow Oscillations of the Transverse Magnetoresistance in HoTe3},
  author = {S. V. Zaitsev-Zotov and P. D. Grigoriev and D. Voropaev and A. A. Morocho and I. A. Cohn and E. Pachoud and A. Hadj-Azzem and P. Monceau},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2503.13302},
  year   = {2025}
}

备注

7 pages of the paper + 9 pages of supplementary materials

HoTe3中横向磁阻的慢振荡

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关键词

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