源于自旋-声子相互作用的斯格明子质量

在一个铁磁薄膜磁弹耦合的玩具模型中，精确计算了由自旋-声子相互作用引起的斯格明子惯性质量。该质量与磁弹耦合强度的平方、薄膜厚度的平方以及斯格明子横向尺寸的一次方成正比。对于纳米级斯格明子，其质量大约在几个电子质量的量级，但在具有大磁致伸缩的材料中可能会显著增大。这些发现预计适用于真实材料中自旋-声子相互作用的任何复杂结构。在探讨基于斯格明子的信息处理速度时，必须考虑这些因素。