掺杂半导体中的斯格明子晶格
强关联电子
2010-01-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了对掺杂半导体Fe_{1-x}Co_{x}Si（x=0.2和0.25）磁相图的综合小角中子散射研究（SANS）。对于磁场平行于中子束的情况，我们在场冷下观察到了六重强度图样，这证实了Fe_{1-x}Co_{x}Si的A相为斯格明子晶格。斯格明子晶格的区域具有高度滞后性，并延伸至很宽的温度范围，这与Fe和Co原子的格点无序相一致。我们的研究确认Fe_{1-x}Co_{x}Si是继MnSi之后第二种形成斯格明子晶格的材料，并确立了斯格明子晶格也可能在强掺杂半导体中出现的结论。
引用
@article{arxiv.0903.2587,
title = {Skyrmion Lattice in a Doped Semiconductor},
author = {W. Münzer and A. Neubauer and S. Mühlbauer and C. Franz and T. Adams and F. Jonietz and R. Georgii and P. Böni and B. Pedersen and M. Schmidt and A. Rosch and C. Pfleiderer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.2587},
year = {2010}
}