C 型激波产生的 SiO 谱线发射：星际喷流与外流

我们研究了分子外流气相中 SiO 的产生过程，该过程通过难熔晶核（假定为橄榄石）中含 Si 物质的溅射发生；我们还计算了 SiO 的转动谱线谱。溅射由中性粒子撞击带电晶粒驱动，发生在以双极扩散速度传播的稳态 C 型激波中。SiO 分子的发射是通过 LVG 代码计算的。我们生成了一系列模型网格，并将结果与早期研究（Schilke et al. 1997）进行了比较。对带电晶粒与中性流体耦合处理的改进导致激波变窄，释放到气相中的 Si 比例降低。关于 O2 初始丰度更现实的假设导致 SiO 形成延迟，使其发生在冷却且致密的激波后流中。我们的结果与近期对 L1157 和 L1448 分子外流中 SiO 谱线强度的观测吻合良好。推断出的发射区温度、不透明度和 SiO 柱密度与通过 LVG“平板”模型估算的值存在显著差异。我们推导出了 SiO 的相对丰度。观测到的谱线轮廓比预测的更宽，暗示波束内存在多个未分辨的激波区域。