C型激波的参数化。颗粒溅射的演化
天体物理学
2009-11-13 v1
摘要
背景：L1448-mm 外流中年轻激波处探测到的窄 SiO 线被解释为 C 型激波磁前兆的特征。与周围气体中低 SiO 丰度（<10E-12）相比，接近环境速度的窄 SiO 发射揭示了 SiO 丰度增强至 10E-11。这种增强被认为是由 C 型激波早期阶段颗粒包层的溅射产生的。然而，颗粒溅射的建模通常对 C 型激波的耗散区域内的 SiO 丰度取平均，无法解释最近的观测结果。目的：为了描述激波在周围气体中传播时由颗粒溅射产生的 SiO、CH3OH 和 H2O 气相丰度的演化。方法：我们提出一个参数化模型来描述 C 型激波随时间的物理结构。利用已知的与 H2、He、C、O、Si、Fe 和 CO 碰撞的水包层（含硅和 CH3OH 等少量组分）以及橄榄石核心的溅射产额，我们追踪了从颗粒中溅射出的硅、CH3OH 和 H2O 丰度的演化。结果：这些丰度的演化表明 CO 似乎是最有效的低速度激波溅射剂。与其他模型相比，CO 将硅从颗粒包层溅射的速度阈值降低了 5-10 km/s。CO 的溅射作用可以在低速度激波的早期阶段产生 10E-11 的 SiO 丰度，与 L1448-mm 磁前兆中观测到的一致。我们的模型还较好地再现了该外流中两个激波（vs=30 和 60 km/s）共存时 SiO、CH3OH 和 H2O 的渐进增强。
引用
@article{arxiv.0802.0594,
title = {Parametrization of C-shocks. Evolution of the Sputtering of Grains},
author = {I. Jimenez-Serra and P. Caselli and J. Martin-Pintado and T. W. Hartquist},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.0594},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 7 figures, accepted for publication in A&A