单层 MoS2 与原子级平坦基底相互作用导致的粗糙度及滑动摩擦淬灭
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1 材料科学
摘要
我们通过实验研究了沉积在不同基底（SiO2、云母和六方氮化硼 (h-BN)）上的单层 MoS2 晶体的表面粗糙度和横向摩擦力。粗糙度和滑动摩擦测量通过原子力显微镜 (AFM) 进行。我们发现 MoS2 的粗糙度强烈依赖于 underlying 基底材料，其中 h-BN 是能最好保持 MoS2 晶体平坦度的基底。横向摩擦力也随粗糙度的降低而减小，并在 h-BN 基底上的 MoS2 薄片处达到最低值。然而，该值仍高于块体 MoS2 晶体的表面，我们将此归因于由于针尖 - 薄片与薄片 - 基底相互作用的竞争导致的薄片变形。
引用
@article{arxiv.1407.2202,
title = {Single-layer MoS2 roughness and sliding friction quenching by interaction with atomically flat substrates},
author = {Jorge Quereda and Andres Castellanos-Gomez and Nicolás Agraït and Gabino Rubio-Bollinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.2202},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures