扩展希格斯模型中电子—正电子对撞机上的单希格斯玻色子伴随光子产生

我们研究了在各种扩展希格斯模型（如惰性二重态模型（IDM）、惰性三重态模型（ITM）和双希格斯二重态模型（THDM））中，电子—正电子对撞机上的伴随光子希格斯产生过程 $e^+e^-\to h\gamma$。标准模型（SM）中的截面在 $\sqrt{s}=$250 GeV 附近达到最大，我们展示了新物理如何以及能在多大程度上增强或压低产生率。我们还讨论了与 $h\to\gamma\gamma$ 和 $h\to Z\gamma$ 衰变率的相关性。我们发现，若与类标准模型希格斯玻色子有可观的耦合，且带电标量质量在 100 GeV 左右，它们可对产生和衰变均有显著贡献。在来自真空稳定性与微扰幺正性的理论约束，以及 LHC 上当前希格斯测量的约束下，IDM 中的产生率最多可比 SM 预言增强两倍。此外，在 ITM 中，我们发现一个特定的参数区域，其中 $h\gamma$ 产生显著增加了约六到八倍，但 $h\to\gamma\gamma$ 衰变仍与 SM 中相同。在 THDM 中，在可行的参数空间内与 SM 预言的可能偏差较小。