下一代 $e^\pm\gamma$ 对撞机上的重带电 Higgs 玻色子产生

我们评估了未来运行于 $e^\pm\gamma$ 模式的正负电子直线对撞机利用激光康普顿背散射光子探测质量在顶夸克质量附近及更大的带电 Higgs 玻色子的潜力。我们将对产生模式 $e^-\gamma\to e^- H^+H^-$ 与末态仅含一个带电 Higgs 标量的多种通道进行了比较，例如树图过程 $e^-\gamma\to \nu_e H^- \Phi^0$ ($\Phi^0=h^0,H^0$ 和 $A^0$) 以及 $e^-\gamma\to \nu_e f\bar f H^-$ ($f=b,\tau$ 和 $\nu_\tau$)，还有圈诱导通道 $e^-\gamma\to \nu_e H^-$。我们表明，当带电 Higgs 玻色子质量小于或与对撞机能量的一半相当，即 $\sqrt s_{ee}\gsim 2M_{H^\pm}$ 时，单产生截面与对产生率大小相当；而当带电 Higgs 玻色子质量大于 $\sqrt s_{ee}/2$ 时，所有过程均受到强烈抑制。总体而言，通过 $e^\pm\gamma$ 散射产生带电 Higgs 玻色子的截面小于 $e^+e^-$ 对撞机产生的截面，后者是产生和分析此类粒子的更佳选择。