光泵浦半导体激光器在1003 nm处的单频高功率连续波振荡
光学
2009-11-11 v1
摘要
本工作报告了光泵浦外腔半导体激光器在1003.4 nm处的单频激光振荡。通过使用键合在高导热性衬底上的增益结构，我们在理论和实验上证明了有源半导体介质热阻的显著降低，从而产生高功率激光发射。还解释了激光的光谱-时间动力学。此外，使用腔内倍频晶体获得了稳定的单模蓝光（501.5 nm）产生，输出功率约为60 mW。
引用
@article{arxiv.physics/0606211,
title = {Single-Frequency High-Power Continuous-Wave Oscillation at 1003 nm of an Optically Pumped Semiconductor Laser},
author = {Mathieu Jacquemet and Manuela Domenech and Julie Dion and Martin Strassner and Gaelle Lucas-Leclin and Patrick Georges and Isabelle Sagnes and Arnaud Garnache},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0606211},
year = {2009}
}
备注
11 pages