Si(111) 中二次谐波产生的简化键超极化率模型：理论与实验
材料科学
2015-06-12 v3
摘要
对于 Si(111) 等中心对称材料中的二次谐波产生（SHG），通常要么从唯象理论理解，要么最近使用简化键超极化率模型（SBHM）[G. D. Powell, J. F. Wang, and D. E. Aspnes, Phys. Rev. B 65, 205320/1 (2002)] 进行理解。尽管 SBHM 源自经典视角，但相较于前者，它具有优势，特别是对于低对称性系统，能提供清晰的物理图像并更有效地解释非线性是如何产生的。在本文中，我们逐步描述了 Si(111) 中基波和二次谐波情况下的 SBHM。我们展示了 Si(111) 的 SHG 实验，并说明如何通过叠加沿键的非谐运动所产生的场贡献来对其进行建模。
引用
@article{arxiv.1212.0231,
title = {Simplified bond-hyperpolarizability model of second-harmonic-generation in Si(111): theory and experiment},
author = {Hendradi Hardhienata and Andrii Prylepa and David Stifter and Kurt Hingerl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0231},
year = {2015}
}
备注
ACCEPTED to be published in the The Journal of Physics: Conference Series, 2013 International Conference on Science & Engineering in Mathematics, Chemistry and Physics (ScieTech 2013)