绝缘体上硅集成偏振纠缠光子源
量子物理
2013-05-30 v2
摘要
我们报道了利用绝缘体上硅线波导中的自发四波混频在通信波长产生偏振纠缠光子的实验。关键组件是一个二维耦合器，将路径纠缠转换为输出端的偏振纠缠。通过量子态层析成像，我们发现产生的态与纯非最大纠缠态的保真度为88%。产生的态违反CHSH贝尔不等式，S=2.37±0.19。
引用
@article{arxiv.1304.0642,
title = {Silicon-on-insulator integrated source of polarization-entangled photons},
author = {Laurent Olislager and Jassem Safioui and Stéphane Clemmen and Kien Phan Huy and Wim Bogaerts and Roel Baets and Philippe Emplit and Serge Massar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.0642},
year = {2013}
}
备注
3 pages, 3 figures