Aharonov-Bohm 干涉仪中的散粒噪声：离子鞘与常规 setup 的比较

我们研究通过量子 Aharonov-Bohm (AB) 干涉仪的隧穿传输，证明干涉效应显著性地改变电流的散粒噪声。我们详细讨论两种最简单的 setup：常规单通道无自旋干涉仪和由二维 拓扑绝缘体的离子鞘边态构成的干涉仪。我们证明，无论是常规还是离子鞘情况，干涉都显著性地改变 Fano 因子及其磁场依赖性。对于弱隧穿耦合，两种 setup 的 Fano 因子都表现出周期性尖锐的 AB 峰，这些峰依赖于穿过系统的磁通。我们的关键发现是，离子鞘干涉仪的 Fano 因子可提供关于存在后向散射缺陷破坏拓扑保护的信息。特别是，离子鞘 setup 中 AB 峰的�幅与缺陷强度成正比，而与常规 setup 不同，后者即使在球形情况下也具有有限振幅的峰。