滞回 Josephson 结中散粒噪声驱动的逃逸
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 超导电性
摘要
我们测量了散粒噪声对最初处于宏观量子隧穿 (MQT) 区的滞回 Josephson 结的影响。进入电阻态的逃逸阈值电流随着流经散射导体（即另一个隧道结）的平均电流增加而单调递减。逃逸主要由宽频带散粒噪声激发决定。该过程等效于在温度高达超导体临界温度约四倍时越过势垒的热激发 (TA)。所提出的 TA 模型与实验结果高度吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502446,
title = {Shot-noise-driven escape in hysteretic Josephson junctions},
author = {J. P. Pekola and T. E. Nieminen and M. Meschke and J. M. Kivioja and A. O. Niskanen and J. J. Vartiainen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502446},
year = {2009}
}