通过场冷在交换耦合铁磁体中塑造纳米尺度磁畴记忆
介观与纳米尺度物理
2020-07-10 v1
摘要
磁性纳米技术的发展依赖于对材料中纳米尺度磁机制 detailed 理解的推进。磁畴记忆（MDM），即磁畴在场循环过程中重复相同图案的趋势，对包括磁记录发展在内的许多技术十分重要。我们展示了揭示 [Co/Pd]/IrMn 薄膜中 MDM 的相干 X 射线磁散射研究。当被相干 X 射线照射时，[Co/Pd] 多层膜中的磁畴产生对其特定纳米尺度构型唯一的散斑图案。通过在整个磁化回线中交叉关联此类散斑图案，我们测量了 MDM。当冷却至其阻断温度以下时，该薄膜表现出高达 100% 的 MDM，由与 IrMn 层的交换耦合所诱导。此外，MDM 的程度强烈依赖于冷却条件。如果薄膜在中等场下冷却，MDM 在整个磁化回线中均较高。如果薄膜在近饱和场下冷却，除成核和饱和外，MDM 消失。
引用
@article{arxiv.2007.04930,
title = {Shaping nanoscale magnetic domain memory in exchange-coupled ferromagnets by field cooling},
author = {Karine Chesnel and Alex Safsten and Matthew Rytting and Eric E. Fullerton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.04930},
year = {2020}
}