带相位信息的浅层量子标量积

标量积的测量是科学计算中常见的任务，亦是量子计算中的常见任务。在本工作中，我们引入两种用于计算带相位信息的标量积的量子电路方案，融合了交换测试、真空测试和哈达德测试的结构。这两种新型框架称为零控制测试和一控制测试，分别在访问两个量子态间标量积的电路深度与量子比特数之间呈现不同的权衡。我们证明，所提方法显著降低了大量量子比特时的门数，并降低了相对于哈达德测试的量子需求规模。