以记忆设定边界：Floquet 诱导合成晶体中拓扑边界态的产生
强关联电子
2018-03-12 v1
摘要
当一个 d 维量子系统受到周期性驱动时，它可以被视为一个 (d+1) 维系统，其中额外的维度是合成的。在这项工作中，我们将这些思想提升到一个新的水平，表明只要系统动力学具有记忆分量，就会在合成维度中产生非均匀势，特别是边缘。我们证明了拓扑态出现在这些合成维度的边缘，并可用作波包构造的基础。此类系统可充当光学隔离器，允许光以定向方式传输。我们通过一个展示此类物理现象的物理系统实例来补充我们的想法。
引用
@article{arxiv.1709.03507,
title = {Setting Boundaries with Memory: Generation of Topological Boundary States in Floquet-Induced Synthetic Crystals},
author = {Yuval Baum and Gil Refael},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.03507},
year = {2018}
}
备注
7 Pages, 5 Figures