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单层 MoS2 中主激子的选择性放大

材料科学 2015-12-02 v2

摘要

过渡金属二硫化物的光电子学应用仍受限于其微弱的光吸收,且由于其原子级薄层的固有特性,其复杂的激子模式极易受激发条件变化的扰动。在此,我们提出了一种方法,通过无腔激子耦合等离激元传播的循环再激发,选择性放大单层 MoS2 激子复合物中的主激子(A0)。该方法的实现方式是将一根 Ag 纳米线(NW)部分重叠在由薄 SiO2 间隔层隔开的 MoS2 单层上。纳米线中的激子耦合等离激元增强了 MoS2 中的 A0 辐射。通过循环等离激元传播实现的发射增强累积放大对 A0 具有约 20 倍的选择性,同时通过显著减少能带填充排除了其他 B 激子和多激子,且未出现暗示等离激元腔效应的振荡光谱。

关键词

引用

@article{arxiv.1503.08943,
  title  = {Selective amplification of primary exciton in monolayer MoS2},
  author = {Hyun Seok Lee and Min Su Kim and Youngjo Jin and Gang Hee Han and Young Hee Lee and Jeongyong Kim},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08943},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages,4 figures