h-BN 和 MoS$_2$ 单层中的二次谐波产生：电子 - 空穴相互作用的作用
介观与纳米尺度物理
2014-04-22 v1 材料科学
摘要
本文通过第一性原理数值模拟表明，电子 - 空穴相互作用对 h-BN 或 MoS 单层的二次谐波产生谱有显著贡献。具体而言，与独立电子跃迁的贡献相比，它在激子共振处使信号强度加倍。这一结果表明，通过改变控制电子 - 空穴相互作用强度的介电屏蔽，可以调节这些材料的二次谐波信号强度。
引用
@article{arxiv.1310.7459,
title = {Second Harmonic Generation in h-BN and MoS$_2$ monolayers: the role of electron-hole interaction},
author = {M. Grüning and C. Attaccalite},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.7459},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 2 figures