含点缺陷共价晶体中的电场屏蔽
材料科学
2014-07-21 v1
摘要
在 Debye-H"uckel 近似框架内，推导出了 p 型半导体中场屏蔽长度的表达式，该推导考虑了固定受主能级的能量展宽以及价带态密度尾。结果表明，屏蔽长度加性地依赖于载流子密度与其漂移迁移率和扩散系数之比（针对价带中的自由空穴和通过受主跳跃的空穴）的乘积。
引用
@article{arxiv.1407.5012,
title = {Screening of the electric field in covalent crystals containing point defects},
author = {N. A. Poklonski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.5012},
year = {2014}
}
备注
3 pages, 0 figures