HD$^{+}$离子与低能电子碰撞诱导的转动跃迁

我们进行了一系列基于多通道量子亏损理论的计算，以产生在$10^{-5}$至0.3 eV能量范围内，HD$^+$离子与电子碰撞诱导的转动跃迁（激发$N_{i}^{+}-2 \rightarrow N_{i}^{+}$，退激发$N_{i}^{+} \rightarrow N_{i}^{+}-2$，其中$N_{i}^{+}=2$到$10$）及其竞争过程——解离复合——的截面。在同一电子能量范围内，我们报告了在海德堡测试储存环（TSR）实验条件（$k_{B}T_{t}=2.8$ meV和$k_{B}T_{l}=45$ $\mu$eV）下，从这些截面获得的这些过程的麦克斯韦各向异性速率系数。同时，也给出了电子温度高达几百开尔文的麦克斯韦各向同性速率系数。我们的转动跃迁结果与先前的理论计算以及实验之间具有非常好的总体一致性。此外，由于进行了完整的转动计算，所得解离复合截面的准确性得到了显著提高。