极低能电子诱导的 CH$^+$ 分子离子解离复合

我们使用多通道量子亏损理论计算了初态处于最低振动能级 $v_i^+ = 0$ 的 CH$^+$ 与入射能量低于 $0.2$ eV 的电子发生解离复合的截面和速率系数。我们聚焦于 $2$ $^2\Pi$ 态的贡献，该态是低碰撞能量下的主要解离复合通道。最终截面通过对相关初态转动能级 $(N_i^+ = 0,\dots,10)$ 以 $300$ K 玻尔兹曼分布求平均得到。我们还计算了针对不同初态转动能级、电子温度高达几百开尔文的解离复合麦克斯韦各向同性速率系数。我们的结果与储存环测量进行了比较。