芯片上的室温稳态光力学纠缠

提出了一种基于氮化硅（SiN）材料的潜在实验系统，用于产生稳态室温光力学纠缠。在所提出的结构中，纳米弦通过倏逝场与微盘腔发生色散和反应性相互作用。我们研究了色散和反应性耦合在产生光力学纠缠中的作用，并表明在合理的实验参数范围内，通过色散耦合可以有效获得室温纠缠。特别地，我们发现在高温（$T$）和高机械品质因子（$Q_{m}$）极限下，对数纠缠仅取决于比值 $T/Q_{m}$。这意味着材料质量和结构设计的改进可能导致更有效地产生稳态高温纠缠。