Mn掺杂LaGaO3的室温磁介电研究
强关联电子
2015-10-01 v2 材料科学
摘要
通过固相反应法制备了LaGa1-xMnxO3 (0<x<0.3)多晶样品。这些样品的相纯度已通过在Indus-2同步辐射光源BL-12上进行的粉末X射线衍射实验确认。x=0.2的样品在施加磁场时显示出电容值的显著变化。通过系统分析磁电容(MC)、磁电阻(MR)和介电损耗随频率的变化，理解了观察结果。我们的结果和分析表明，观察到的磁介电(MD)耦合可能源于Maxwell-Wagner型MR效应和/或场致偶极弛豫。进一步观察到氧化学计量比在观察到的MD耦合中起着非常关键的作用。
引用
@article{arxiv.1502.06887,
title = {Room temperature magnetodielectric studies on Mn doped LaGaO3},
author = {Hari Mohan Rai and Ravikiran Late and Shailendra Saxena and Vikas Mishra and Rajesh Kumar and Archna Sagdeo and P. R. Sagdeo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06887},
year = {2015}
}
备注
http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/2/9/096105