洞穴结合及竞争自旋-电荷序在简单与扩展 Hubbard模型中的研究：基于3×4圆柱晶格的精确对角化
计算与语言
2025-12-12 v1
摘要
我们利用在3×4圆柱晶格上的精确对角化方法，研究了洞穴结合及竞争自旋-电荷序在简单与扩展 Hubbard模型中的问题。对于简单Hubbard模型（V=0），我们发现处于中等库仑排斥U值下，洞穴偶极子通过磁关联性被轻微结合，且未见相分离的证据。引入最近邻相互作用V后，相图显示：吸引V导致多洞聚集和相分离，伴随局部磁关联性被抑制；而排斥V稳定电荷密度波（CDW）序，该序在受调制磁背景下与结合的洞穴对 coexist。于强耦合（U=10）时，竞争更为尖锐：吸引V克服本征排斥形成磁被抑制的簇；排斥V产生稳健的CDW序，限制配对。通过实空间分析自旋与电荷关联，提供了不同相互作用V符号与强度下洞穴结合机制的微观证据——即相分离与关联性介导的配对。我们的结果构成了非局域库仑相互作用如何重塑相关电子系统中洞穴结合与集体序图景的综合性描绘。
引用
@article{arxiv.2512.10575,
title = {RoleRMBench & RoleRM: Towards Reward Modeling for Profile-Based Role Play in Dialogue Systems},
author = {Hang Ding and Qiming Feng and Dongqi Liu and Qi Zhao and Tao Yao and Shuo Wang and Dongsheng Chen and Jian Li and Zhenye Gan and Jiangning Zhang and Chengjie Wang and Yabiao Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.10575},
year = {2025}
}