空穴掺杂 BaMn$_{2}$As$_{2}$ 金属 - 绝缘体相变中稳健的反铁磁自旋波

BaMn$_{2}$As$_{2}$ 是一种反铁磁绝缘体，通过用 K 替代 Ba 进行空穴掺杂会发生金属 - 绝缘体相变。该相变仅导致 N\'eel 温度（$T_\mathrm{N}$）和有序磁矩的轻微抑制，表明掺杂空穴与 Mn 自旋系统的相互作用较弱。我们对三种不同粉末样品 Ba$_{1-x}$K$_{x}$Mn$_{2}$As$_{2}$（$x=$0, 0.125 和 0.25）进行了粉末非弹性中子散射测量，以研究空穴掺杂和金属化对这些化合物自旋动力学的影响。我们将中子强度与 $J_{1}-J_{2}-J_{c}$ Heisenberg 模型的线性自旋波理论近似进行了比较。研究发现，空穴掺杂仅对交换能和自旋隙引入了微小的修正。观察到的交换常数的变化与掺杂引起的 $T_\mathrm{N}$ 小幅下降一致。