Ba0.5K0.5Fe2As2中掺杂Mn和Zn的对比对破缺效应

测量了Mn和Zn掺杂的Ba$_{0.5}$K$_{0.5}$Fe$_{2}$As$_{2}$样品的电阻率、霍尔效应、磁电阻和直流磁化强度。研究发现，Mn掺杂能急剧降低超导转变温度，其速率为$\Delta T_c$/Mn-1% = -4.2 K，而Zn掺杂的效应可忽略不计。详细分析表明，Mn掺杂显著增强了剩余电阻率($\rho_0$)，并诱导出强局域磁矩($\sim$ 2.58 $\mu_B$)，这些磁矩充当了对破缺子。而Zn掺杂样品中由$\rho_0$测量的杂质散射要弱得多，伴随可忽略的对破缺效应。一种可能的解释是，Zn杂质的杂质散射主要是小角度散射(或小动量转移)，因此它不能破坏由带间散射诱导的配对，从而对超导转变温度影响微弱。