针对电荷噪声的 fluxonium 量子比特尺寸优化

我们分析了 fluxonium 量子比特的电荷噪声诱导相干时间 $T_2$ 作为器件中阵列结数目 $N$ 的函数。纯退相位率随 $N$ 减小,但我们发现弛豫率增加,因此 $T_2$ 作为 $N$ 的函数达到一个最优值。该最优值可远小于实验中通常选取的数目,从而同时提供了一条改善 fluxonium 相干性与简化器件制作的途径。