基于铑的半赫斯勒合金作为潜在光电与热电材料
材料科学
2021-05-06 v1 强关联电子
摘要
基于密度泛函理论与半经典玻尔兹曼理论,我们研究了 18 价电子数的基于铑的半赫斯勒合金 RhTiP、RhTiAs、RhTiSb 与 RhTiBi 的结构、弹性、电子、光学与热电性质。这些体系的声子色散曲线中无虚频率,证实其在结构上稳定。RhTiP 具延展性,其余为脆性。发现这些合金为间接带隙半导体,带隙介于 0.94 至 1.01 eV。我们的计算表明这些材料在紫外与可见光区具有高吸收系数与光电导率。在热电方面,我们发现 型掺杂更有利于改善热电性质。经 型掺杂计算的功率因子值与若干已报道的半赫斯勒材料相当。RhTiBi 的最佳品质因数 \zt\ 约为 ,表明其为热电应用的有前景候选者;而 RhTiP、RhTiAs 与 RhTiSb 的最佳 \zt\ 值介于 0.38 至 0.67,为热电器件应用的可能候选者。
引用
@article{arxiv.2105.02177,
title = {Rhodium based half-Heusler alloys as possible optoelectronic and thermoelectric materials},
author = {Dhurba Raj Jaishi and Sujit Bati and Nileema Sharma and Bishnu Karki and Bishnu Prasad Belbase and Madhav Prasad Ghimire},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.02177},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 14 figures