使用Heyd-Scuseria-Ernzerhof杂化泛函重新审视Mn掺杂Ge
材料科学
2015-03-17 v2
摘要
我们使用Perdew-Burke-Ernzerhof（PBE）交换关联泛函、DFT+和Heyd-Scuseria-Ernzerhof杂化泛函（HSE）对Mn掺杂锗半导体进行了对比性\textit{从头算}研究。我们表明，HSE泛函能够正确解释主体矩阵以及Mn掺杂半导体的相关基态性质。尽管DFT+和HSE的描述非常相似，但仍存在一些差异。特别是，当使用调谐至恢复光发射谱的合适值时，使用DFT+会失去半金属性。作为比较，我们还讨论了Mn在硅中的情况。
引用
@article{arxiv.1101.1871,
title = {Revisiting the Mn-doped Ge using the Heyd-Scuseria-Ernzerhof hybrid functional},
author = {A. Stroppa and G. Kresse and A. Continenza},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1871},
year = {2015}
}
备注
Phys. Rev. B (in press)-Typos corrected- References added