硅中谐振驱动的单态-三重态自旋量子比特
介观与纳米尺度物理
2020-03-24 v1
摘要
我们报道了在硅中实现谐振驱动的单态-三重态自旋量子比特。该量子比特由双电子反平行自旋态定义，并通过在量子比特频率处对交换相互作用进行谐振驱动来实现通用量子控制。该量子比特展现出超过 1 s 的长 ，由于对称操作和大的微磁体塞曼场梯度，其退相干由 Si 核而非电荷噪声限制。随机基准测试显示出 99.6% 的单门保真度，这是单态-三重态量子比特报道的最高值。
引用
@article{arxiv.1910.00771,
title = {Resonantly driven singlet-triplet spin qubit in silicon},
author = {Kenta Takeda and Akito Noiri and Jun Yoneda and Takashi Nakajima and Seigo Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.00771},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 4 figures