Cr 掺杂 SrTiO3 中的电阻开关效应：一项 X 射线吸收光谱研究
材料科学
2007-07-05 v1 强关联电子
摘要
利用 X 射线吸收光谱研究了铬掺杂钛酸锶 (Cr:SrTiO3) 中电导和电阻开关效应的微观起源。Cr K 边附近的 X 射线吸收近边结构 (XANES) 差异表明，在施加电场后，样品器件阳极下方的 Cr 价态从 3+ 变为 4+。空间分辨 X 射线荧光显微 (-XRF) 图谱显示，在实现导通状态后，Cr4+ 区域从阳极-Cr:SrTiO3 界面回缩。利用扩展 X 射线吸收精细结构 (EXAFS) 对该界面区域进行了研究，并将结果与密度泛函理论 (DFT) 计算获得的结构参数进行了比较。结果证实，在以 Cr 为中心的八面体处局域化的氧空位被引入到界面处。研究提出，开关状态并非由铬的价态变化引起，而是由界面处氧空位的变化所致。
引用
@article{arxiv.0707.0655,
title = {Resistive Switching in Cr doped SrTiO3: An X-ray Absorption Spectroscopy study},
author = {B. P. Andreasson and M. Janousch and U. Staub and G. I. Meijer and B. Delley},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.0655},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 4 figures, Proceedings of the E-MRS 2007 spring meeting