从 $B \to K \bar K$ 衰变中获取的再散射信息

再散射效应可以改变 $B^{\pm} \to K \pi^{\pm}$ 与 $B \to K^{\pm} \pi^{\mp}$ 衰变率之比对弱相角 $\gamma = -{\rm Arg}(V^*_{ub}V_{ud}/V^*_{cb} V_{cd})$ 的依赖关系。已有研究建议基于 $B^{\pm} \to K^{\pm} K$ 过程对这些效应进行检验。本文指出，预期被再散射主导且存在更好实验界限的 $B \to K^+ K^-$ 过程的衰变率，很可能对这些效应提供更严格的约束。