GaAs 中单激子中心经远程泵浦的 GHz 反聚束发射
介观与纳米尺度物理
2021-04-08 v2 光学
摘要
量子通信网络需要片上单粒子的传输与操控,以及其与单光子的相互转换以实现远距离信息交换。由 GHz 表面声波(SAWs)驱动的飞行激子是满足这些要求的优异信使。在此,我们展示了由束缚于半导体量子阱中浅杂质中心的单个激子所构成的单激子中心的声学操控。时间分辨光致发光研究表明,这些中心的发射强度与能量以 3.5 GHz 的 SAW 频率振荡。此外,这些中心可通过沿量子阱通道声学传输飞行激子数微米实现远程泵浦。时间关联研究揭示这些中心发射反聚束光,从而作为工作于 GHz 频率的单光子源。我们的结果为基于激子的微波频率按需操控与片上传输单激子,及其天然光子接口铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2005.05105,
title = {Remotely pumped GHz antibunched emission from single exciton centers in GaAs},
author = {M. Yuan and K. Biermann and S. Takada and C. Bäuerle and P. V. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.05105},
year = {2021}
}
备注
Main text: 20 pages, 5 figures. Supporting Information: 5 pages, 4 figures