纳米点磁阵列的剩磁与开关灵敏度

报道了关于放置在方格晶胞中的纳米级磁点磁阵列磁行为计算机模拟的新结果。我们表明剩磁$M_r$随阵列尺寸的增大而减小。对于50x50的阵列，我们还研究了在振荡磁场中阵列磁结构的稳定性。损伤扩散技术揭示，这种稳定性随着阵列单个元素开关场的标准差$\sigma$的增大而增强。另一方面，$M_r$随$\sigma$的增大而减小。因此，可以在某个中间$\sigma$值下实现系统的最优化（大的$M_r$和高稳定性）。