磁通量子比特中的弛豫与退相干

P. Bertet; I. Chiorescu; G. Burkard; K. Semba; C. J. P. M. Harmans; D. P. DiVincenzo; J. E. Mooij

磁通量子比特中的弛豫与退相干

介观与纳米尺度物理 2007-05-23 v1

作者: P. Bertet , I. Chiorescu , G. Burkard , K. Semba , C. J. P. M. Harmans , D. P. DiVincenzo , J. E. Mooij

摘要

我们报告了通过开关式直流SQUID测量的磁通量子比特中弛豫时间和退相干时间的详细测量结果。我们研究了它们对两个重要电路偏置参数的依赖关系：外部施加的磁通量和通过SQUID的偏置电流，共测量了两个样品。我们展示了两种互补的策略来保护量子比特免受这些退相干源的影响。一种是将量子比特偏置到其共振频率相对于控制参数是平稳的（{\it 最优点}）；第二种是通过选择通过SQUID的适当偏置电流来{\it 解耦}量子比特与电流噪声。在解耦的最优点，我们测量到了长达 $4 \mu s$ 的自旋回波衰减时间。

关键词

磁通量子比特弛豫退相干最优点自旋回波退相干直流SQUID

引用

@article{arxiv.cond-mat/0412485,
  title  = {Relaxation and Dephasing in a Flux-qubit},
  author = {P. Bertet and I. Chiorescu and G. Burkard and K. Semba and C. J. P. M. Harmans and D. P. DiVincenzo and J. E. Mooij},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412485},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. Letters

磁通量子比特中的弛豫与退相干

摘要

关键词

引用

备注

相关论文