嵌入三维腔中的长寿命电容分流通量量子比特
量子物理
2019-12-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了具有长相干时间的 3D 电容分流超导通量量子比特的实验实现。在最佳磁通偏置点，该量子比特展现出 60–90 s 范围的能量弛豫时间，以及约 80 s 的 Hahn-echo 相干时间，后者可通过动力学退耦进一步改善。量子比特能量弛豫可归因于准粒子隧穿，而量子比特退相干则由偏离最佳点处的磁通噪声引起。我们的结果表明，3D c-shunt 通量量子比特相较于其他类型通量量子比特表现出更优性能，这有利于量子磁力计和自旋传感等应用。
引用
@article{arxiv.1911.04635,
title = {A long-lived capacitively shunted flux qubit embedded in a 3D cavity},
author = {Leonid V. Abdurakhimov and Imran Mahboob and Hiraku Toida and Kousuke Kakuyanagi and Shiro Saito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.04635},
year = {2019}
}
备注
main text (4 pages) + supplementary materials (6 pages), submitted to APL