反应限制晶体生长过程中宏观台阶高度与表面速度的关系
化学物理
2019-03-26 v1 材料科学
应用物理
摘要
本研究在非平衡稳态条件下，考察了反应（界面）限制晶体生长过程中宏观台阶高度对邻位表面生长速度的影响。采用 Monte Carlo 方法，基于具有点接触型台阶-台阶吸引的受限固着模型（称为 p-RSOS 模型）进行模拟。尽管这是一个简单的格子模型，但该模型表面根据温度和晶体生长驱动力展现出多种独特的构型。结果表明，表面速度随着小面化宏观台阶高度的增加而降低。此外，本研究重现了 Onuma 等人最近在基于 4H-SiC 的研究中所报告的表面速度的显著变化。本研究还表明，台面斜率、基元台阶速度和基元台阶动力学系数均受小面化宏观台阶高度的影响。
引用
@article{arxiv.1903.09929,
title = {Relationship Between Macrostep Height and Surface Velocity for a Reaction-Limited Crystal Growth Process},
author = {Noriko Akutsu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09929},
year = {2019}
}
备注
11pages, 12 figures. This manuscript was prepared for the achesmo (a latex package for the ACS). Since the achesmo is not supported, this manuscript was converted to RevTeX. This manuscript is submitted to the Crystal Growth & Design