由边界不稳定性产生的常规与面内 skyrmion 及反 skyrmion

我们建立了利用磁场和电荷电流脉冲产生 skyrmion 与反 skyrmion 的理论。我们证明该拓扑缺陷可在具有 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（DMI）的系统边缘以及具有不同 DMI 的区域之间的边界处产生。我们考虑了垂直和面内（也称为 magnetic bimerons）版本的 skyrmion 与反 skyrmion。我们证明边缘或边界附近的磁化扭转由扭结解描述，其存在可引发拓扑缺陷的生成。我们从解析和数值上研究了磁化的集体激发，并证明在施加磁场和电荷电流脉冲下，局域在边界附近的磁子模式可发展出不稳定性，导致 skyrmion 或反 skyrmion 的形成。由于 skyrmion 和反 skyrmion 的霍尔效应，恰当选择的电流方向可将拓扑缺陷推离边界，从而促进其生成。