降低稀土离子掺杂材料中光学和自旋跃迁的退相干
原子物理
2015-06-03 v2 量子物理
摘要
在许多重要情况下，低温稀土离子掺杂系统中的主要退相干机制源于主体晶格中自旋引起的磁场涨落。在具有零一阶塞曼 (ZEFOZ) 频移的跃迁所对应的磁场下运行，可以极大地减少这种退相干。在此，我们确定了 Pr3+:YAG 中光学跃迁和 Er3+:Y2SiO5 中自旋跃迁的零一阶塞曼频移位置。ZEFOZ 所能实现的长相干时间将使 Pr3+:YAG 成为实现腔量子电动力学强耦合机制的有力候选者，并将是创建 Er3+:Y2SiO5 中长寿命电信波长量子存储器的重要一步。这项工作主要依赖于已发表的自旋哈密顿量参数，但对 Pr3+:YAG 进行了拉曼外差光谱测量，以获取激发态的参数。
引用
@article{arxiv.1201.4610,
title = {Reducing decoherence in optical and spin transitions in rare-earth-ion doped materials},
author = {D. L. McAuslan and J. G. Bartholomew and M. J. Sellars and J. J. Longdell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.4610},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures