二嵌段低聚物分子二极管的整流机制
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
我们研究了近期合成的二嵌段低聚物二极管分子中的整流机制，该分子在测量的 I-V 谱中表现出显著的不对称性。观测到的整流效应源于系统中电子转移的共振特性，以及在外电场作用下与不对称分子相互作用的隧穿电子的束缚态波函数的局域化性质。隧穿波函数的不对称性会根据外加偏压的极性而增强或减弱。一种概念上全新的理论方法——亚势垒散射的格林函数理论，能够基于隧穿电子束缚态谱的概念，为该整流效应提供物理上直观的解释。该理论预测的 I-V 谱特征与实验在定性上吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507385,
title = {Rectification Mechanism in Di-Block Oligomer Molecular Diodes},
author = {I. I. Oleynik and M. A. Kozhushner and V. S. Posvyanskii and L. Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507385},
year = {2009}
}