充电整流——分子导体中接触诱导电流不对称性的物理机制

我们概述了分子导体中由充电诱导的电流不对称性在弱相互作用自洽场（SCF）和强相互作用库仑阻塞（CB）机制下截然不同的物理本质。在SCF机制下，由于平均场势的不均匀性，正负偏压下闭壳层导电能级的移动不同，从而产生电导不对称性。而在CB机制下，由于相反偏压下开壳层激发通道数量的不等，产生了一种截然不同的电流不对称性。CB机制由单电荷效应主导，通常需要进行计算量巨大的多电子或福克空间描述。然而，我们对分子库仑阻塞测量的分析表明，许多新特征可以用一个更简单的正统模型来解释，该模型涉及福克空间激发的非相干求和，因此将分子视为金属点或岛。这也通过仅包含各种电荷构型降低了福克空间描述的复杂性，从而部分凸显了电子结构的重要性，同时保留了输运过程单电荷性质的本质。最后我们指出，在某些显著例子中，包含电子结构及由此产生的分辨良好的福克空间激发至关重要。