受外场、静水压和杂质影响的矩形势垒
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
本研究展示了电场和磁场对矩形势垒中隧穿粒子的影响，我们考虑了势垒中心杂质的存在以及平行于势垒高度的静水压效应，并采用了BenDaniel-Duke边界条件。鉴于粒子在GaAs-AlxGa1-xAs-GaAs异质结构内部运动，由于杂质浓度和静水压的存在，透射系数显然发生了变化。由杂质存在产生的势能用二次多项式函数近似，该函数解决了因严重改变透射系数而产生的间断性。
引用
@article{arxiv.0704.3974,
title = {Rectangular Potential Barrier Affected by External Fields, Hydrostatic Pressure and Impurities},
author = {Julian A. Zuñiga and O. L. Hernandez-Rosero and S. T. Perez-Merchancano},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.3974},
year = {2007}
}
评论
3 pages, 3 figures. Submitted to the Microelectronic Journal