晶体边界中的复合速度——重新审视
材料科学
2025-03-13 v1 应用物理
摘要
本工作重新审视了聚晶吸收材料中晶界处少子载流子的复合速度 ()。推导了描述 以及电子和空穴势垒的方程。证明在给定净掺杂密度和绝对温度下，特定晶界处的实验确定的复合速度仅取决于该平面缺陷处的剩余电荷密度以及描述非辐射复合的前缀 。对于任何测得的 值，都可以确定这两个量的值范围。分析 在 various (Ag,Cu)(In,Ga)Se 和微晶硅吸收材料上获取的数据集后，显而易见的是，该剩余电荷密度和前缀 在特定吸收材料中分析的所有晶界的数量级相似。复合速度在几个数量级上的广泛范围表明上下 band bending 均存在，band bending 值在所有分析材料中均为几个 10 meV。
关键词
引用
@article{arxiv.2503.08810,
title = {Recombination velocities at grain boundaries in solar-cell absorbers -- revisited},
author = {Daniel Abou-Ras and Matthias Maiberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.08810},
year = {2025}
}
备注
19 pages, 6 + 3 figures