超宽带红外上转换成像的实现
光学
2022-05-25 v1 应用物理
摘要
高性能超宽带成像器件在包括成像、遥感和通信在内的多种技术应用中需求巨大。基于 p-GaAs 同质结界面功函数内光发射（HIWIP）探测器-发光二极管（LED）器件，实现了一种超宽带上转换器。该器件展现出从可见光到太赫兹（THz）的超宽响应范围，并具有良好的可重复性。在中红外（MIR）区域，于 10.5 微米处的峰值响应度为 140 mA/W。该 HIWIP-LED 在覆盖所有红外大气窗口以及 THz 区域的超宽带上转换方面显示出巨大潜力，并进一步演示了来自 CO2 激光器的 MIR 光斑的无像素成像。此外，所提出的上转换器在零偏压下借助双功能 LED 还可作为近红外与可见光探测器。得益于其超宽响应，HIWIP-LED 上转换器在稳定的、高性能超宽带无像素成像与多功能分析系统中极具前景。
引用
@article{arxiv.2205.11717,
title = {Realization of ultra-broadband IR up-conversion imaging},
author = {X. H. Li and P. Bai and S. H. Huang and X. Q. Bai and W. J. Song and X. R. Lian and C. Hu and Z. W. Shi and W. Z. Shen and Y. H. Zhang and Z. L. Fu and D. X. Shao and Z. Y. Tan and J. C. Cao and C. Tan and G. Y. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.11717},
year = {2022}
}
备注
23 pages, 5 figures