Cu$_2$SnS$_3$ 中应变诱导多个拓扑相的实现：基于 ab initio 的研究

通过化学取代、电场、磁场、应变和 Floquet 工程等调节不同参数来寻找多个拓扑相 (TP) 及其转换，近年来引发了广泛关注。尽管付出了巨大努力，但仍难以观察到单个材料中出现多个 TP 以及在单一参数存在下的多个 TP 转换。本文我们通过 $state$-$of$-$the$-$art$ $ab$-$initio$ 计算，展示了在正交 Cu$_2$SnS$_3$ 中实现了由单轴压缩应变 (UCS) 引发的多个 TP 及其转换。在无自旋轨道耦合 (SOC) 的情况下，Cu$_2$SnS$_3$ 表现出一个单一（类型-II）环形点；在 SOC 存在时，它拥有一个伴随七个 Weyl 点（三个位于 $\Gamma$ 点，四个位于一般位置）以及 nodal 弧的 Weyl 相。随着 UCS 的应用，它保持类型-II 环形点 $<5.5\%$，进一步演化为 $5.5\% \leq$ UCS $<5.6\%$ 的类型-III 环形点。有趣的是，在 5.6\% 的 UCS 下，它显示出即使在无 SOC 的情况下也拥有一个四个 Weyl 节点的 Weyl 相。上述七个 Weyl 点在下方 $5\%$ 的 UCS 下仍然存在。对于 $5\% \leq$ UCS $<5.6\%$，四个位于一般位置的 Weyl 点消失，nodal 弧在所研究的 UCS 范围内保持完整。在无 SOC 的情况下观察到的 TP 似乎源于应变驱动的拓扑平坦带，这通常在 kagome 和 Lieb 晶格中报告。