V2Se2O 族替代磁体的真实紧致展宽模型
材料科学
2026-02-11 v1
摘要
继早期理论预测后，经过间接处理的 V2Se2O 族替代磁体，如 RbV2Te2O 和 KV2Se2O，现已被实验确认为 d 型替代磁体，成为已知唯一的范德瓦尔斯层状替代磁体系统。通过将晶体对称性配对的自旋动量锁定 (CSML) 与层状结构结合，V2Se2O 族提供了一个适合研究低维自旋电子响应并探索多种量子自由度相互作用的平台。为建立对这些材料的理解和应用的具体理论基础，我们研究了 V2Se2O 族的六个代表性成员，构建了一个由第一性密度泛函理论计算参数化的真实紧致展宽模型，并与实验测量结果进行基准测试。该模型准确捕捉了关键的替代磁体电子特性，包括 CSML 和非磁共轭自旋守恒电流。模型进一步包含应变耦合参数，使能够模拟应变可调响应，如 piezo-Hall 效应。这种真实的模型允许在单个系统中系统性地探索多种自由度（如自旋、谷和层），并为理解这些自由度与其他量子材料（如拓扑绝缘体和超导体）的相互作用奠定了基础，从而推动了这一新型层状替代磁体的基本理解和潜在器件应用的发展。
引用
@article{arxiv.2602.09465,
title = {Realistic tight-binding model for V2Se2O-family altermagnets},
author = {Xingkai Cheng and Yifan Gao and Junjie Pengand Junwei Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.09465},
year = {2026}
}