强关联纳米线中由Rashba自旋轨道耦合导致的再入拓扑序
强关联电子
2025-06-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了强电子-电子关联存在下，一维扩展s波超导哈密顿量中Rashba自旋轨道耦合（RSOC）对拓扑性质的影响。我们发现，非零的RSOC增加了有效哈密顿量的周期性，导致布里渊区（BZ）的折叠，进而在BZ边界处出现能隙。初始的单能带本质上被分为若干子带。如果化学势位于能隙（子带）内，则相是拓扑平庸的（非平庸的）。这就是现存拓扑性质再入特性的起源。子带的涌现使我们能够通过适当调节化学势使系统进入和退出拓扑相。我们还提出了一个涉及范德瓦尔斯材料和一维莫尔图案的异质结构来研究预测的效应。我们还讨论了面内磁场如何用于控制耗尽InAs纳米线中的RSOC耦合和诱导周期性，在其中已发现强电子-电子关联的证据。
引用
@article{arxiv.2411.06820,
title = {Re-entrant topological order in strongly correlated nanowire due to Rashba spin-orbit coupling},
author = {Kaushal Kumar Kesharpu and Evgenii A. Kochetov and Alvaro Ferraz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.06820},
year = {2025}
}
备注
12 pages (Main text), 12 figures, Under review in PRB