单干扰源情况下对角加载MVDR波束形成器平均陷波深度的随机矩阵理论模型
信号处理
2018-08-28 v1
摘要
自适应波束形成器(ABF)通过在干扰方向处的波束方向图上放置陷波来抑制干扰源。这种抑制改善了在强干扰存在下对较弱信号的检测。因此陷波深度在决定使用ABF相对于常规波束形成所获得自适应增益方面起着关键作用。本研究推导了单干扰源情况下对角加载MVDR ABF的平均陷波深度模型。该模型将平均陷波深度描述为快拍数、阵列中传感器数量、干扰噪比(INR)水平、干扰方向以及对角加载电平的函数。推导使用了关于样本协方差矩阵特征向量行为的随机矩阵理论结果。模型预测的陷波深度在一系列INR与快拍数上与仿真结果高度吻合。
引用
@article{arxiv.1808.08352,
title = {Random Matrix Theory Model for Mean Notch Depth of the Diagonally Loaded MVDR Beamformer for a Single Interferer Case},
author = {Saurav R Tuladhar and John R Buck and Kathleen E Wage},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.08352},
year = {2018}
}