Ba 掺杂 C60 材料的拉曼散射研究
超导电性
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
我们报告了Ba掺杂全erenide材料BaxC60(x=3,4,6)的拉曼光谱。最低频率的Hg 模在Ba4C60和Ba6C60中分裂为五个成分，即使在室温下也可进行基于电子-声子耦合理论的定量分析。对于超导体Ba4C60，推导出其在费米能级处的态密度为7 eV⁻¹，总电子-声子耦合常数λ为1.0，与K3C60相当。已知是探测C60分子电荷转移程度的敏感探针B2g(2) 模显示出明显的频率偏移，这与Ba浓度呈正相关，大致符合Ba向C60完全电荷转移的结果。还讨论了Ba与C60 π轨道之间的杂化效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9904402,
title = {Raman Scattering Study of Ba-doped C60 with t1g States},
author = {X. H. Chen and S. Taga and Y. Iwasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9904402},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 6 figures submitted to Phys. Rev. B (December 1,1998)